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　　壓阻傳感器作為目前應(yīng)用至廣的MEMS壓力傳感器之一，在石油化工、冶金、汽車(chē)、航 空發(fā)動(dòng)機(jī)等環(huán)境下的壓力測(cè)量領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。絕緣體上硅(Silicon on　Insulator，SOI)傳感器是一種新型的半導(dǎo)體高溫壓阻傳感器，它通過(guò)SiO2絕緣層將檢測(cè)電路與基底硅隔離，避免了高溫下電路層與基底硅之間的漏電現(xiàn)象，因而比擴(kuò)散硅壓力傳感器具有更高的工作溫度，具有耐高溫、抗 輻射和穩(wěn)定好等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際測(cè)試證明：在220℃溫度內(nèi)SOI敏 感芯片可在壓力量程內(nèi)正常工作，且線(xiàn)性度變化依然控制在較小的范圍內(nèi)。與諧振式MEMS壓力傳感器相比，SOI壓力傳感器具有制造簡(jiǎn)單、封裝工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。

　　典型的壓阻傳感器的封裝工藝是將清洗過(guò)的含有敏 感電路的芯片與Pyrex7740玻璃通過(guò)陽(yáng)鍵合形成可靠的靜電連接。成熟的硅/玻璃陽(yáng)鍵合的工藝是將硅片和玻璃加熱到300℃左右溫度后施加1000V 以上的直流電壓，在硅片和玻璃界面之間發(fā)生不可逆的化學(xué)反應(yīng)。

　　壓阻傳感器的芯片微小、組裝精度要求高。由于傳感器性能(靈敏度、線(xiàn)性度)與組裝精度關(guān)系密切，所以對(duì)于壓阻傳感器，作為核心工藝的鍵合質(zhì)量必 須加以把控。然而，現(xiàn)階段常用的陽(yáng)鍵合質(zhì)量檢測(cè)手段依然是依靠其他儀器進(jìn)行，主要包括至 大扭矩測(cè)試法、氣密性測(cè)試法、抗拉實(shí)驗(yàn)等。對(duì)于壓阻傳感器的芯片封裝工藝，這些檢測(cè)方法不太適宜自動(dòng)化封裝工藝的實(shí)現(xiàn)，且側(cè)重于鍵合強(qiáng)度的檢測(cè)，不符合以實(shí)現(xiàn)傳感器性能檢測(cè)的目標(biāo)。因而壓阻傳感器封裝質(zhì)量一直依賴(lài)人工檢測(cè)，效率低的同時(shí)帶來(lái)了檢測(cè)結(jié)果的不可靠性。